2017年4月13日，应工程科学学院邀请，加拿大麦克马斯特大学Chih-Hung Chen（陈志宏）教授作客学院名师讲坛，为同学们带来了关于热噪声表征的学术讲座。
陈教授从RF IC整体框架入手，逐步深入到细节，为同学们展示了关于热噪声表征的技术和挑战，并对低频声射频(RF)集成电路(IC)设计进行了深入的介绍。他还展示了在近期研究中的发现：当晶体管在因电源电压降低被偏置时，饱和载流子晶体管的热噪声比信号(SNR)大大降低到传统噪声理论从未预见或预测的水平。这意味着在目前和设想的技术中，器件中的热噪声不仅对高频电路，还对模拟、混合信号甚至数字电路造成了重要的限制。从精准的噪声表征和基于物理的噪声模型中获得对新兴器件中热噪声特性的认识，这对减轻噪声问题和改进低功耗应用的电路设计极为重要。
在讲座中，陈教授以生动而幽默的表述深入浅出地展示了他部分研究的相关历程，也让同学们对“十年磨一剑”科研过程有了新的认识，使同学们受益匪浅。
据介绍，陈志宏（James Chen）是加拿大麦克马斯特大学教授，IEEE高级会员，职业工程师。他毕业于台湾中央大学，先后取得西蒙弗雷泽大学学士学位、加拿大麦克马斯特大学博士学位。目前主要研究深亚微米金氧半场效晶体管的高频表征；双极结型晶体管和金氧半场效晶体管用于电信的超低功耗。2016和2017年，陈志宏教授连续两年受聘为工程科学学院（国际化示范学院）电子器件与电路（一）课程外教。(图文 张逸尘，编辑 杨茜琬)
